以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 287-290.

以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

高玉强;彭燕;李娟;陈秀芳;胡小波;徐现刚;蒋民华

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50802053;50721002);教育部科技创新工程重大项目(707039);973国家重大科学研究计划项目(2009CB930503)

Growth and Defect Characterization of 6H-SiC Single Crystal Seeded (1015) Plane

GAO Yu-qiang;PENG Yan;LI Juan;CHEN Xiu-fang;HU Xiao-bo;XU Xian-gang;JIANG Min-hua

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.

中图分类号:

O771

高玉强;彭燕;李娟;陈秀芳;胡小波;徐现刚;蒋民华. 以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 287-290.

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