非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 318-323.

非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究

孙杰;刘保亭;陈江恩;娄建忠;周阳

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055);河北省自然科学基金(E2008000620;E2009000207);教育部科学技术研究重点项目(207013);河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(08965124D);河北省教育厅科学研究计划(2007416);河北省科学技术厅科学技术研究与发展指导计划(07215154);河北大学博士基金(y2006091)

Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba0.6Sr0.4TiO3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing

SUN Jie;LIU Bao-ting;CHEN Jiang-en;LOU Jian-zhong;ZHOU Yang

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650～800 ℃温度范围内快速退火(RTA)工艺对电容器结构和物理性能的影响.结果表明:在外加电场为-100 kV/cm时,700 ℃和750 ℃退火样品的介电常数达到最大,分别为150和170.非晶Ni-Al薄膜的应用可以有效地降低BST薄膜的漏电流密度.650 ℃退火样品在整个测试电场范围内满足欧姆导电机制;700 ℃、750 ℃和800 ℃退火样品分别在电压低于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足欧姆导电机制,在电压高于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足普尔-弗兰克导电机制.

中图分类号:

O484

孙杰;刘保亭;陈江恩;娄建忠;周阳. 非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 318-323.

SUN Jie;LIU Bao-ting;CHEN Jiang-en;LOU Jian-zhong;ZHOU Yang. Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba0.6Sr0.4TiO3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(2): 318-323.

[1]	石博元, 张芩宇, 姜宏, 文峰, 马艳平. 高硼硅玻璃薄膜的磁控溅射沉积及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(12): 2371-2375.
[2]	沈波;杨学林;许福军. 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1953-1969.
[3]	王珣;汪莱;郝智彪;罗毅;孙长征;韩彦军;熊兵;王健;李洪涛. GaN基三维结构生长与器件应用[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1984-1995.
[4]	王瑞;孙宜华;黄龙;敖来远;方亮;骆秋子. Ti含量对溶胶-凝胶法制备Ti、Ga共掺ZnO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1800-1806.
[5]	王心洋;曹光宇;黄翀. 微波等离子体化学气相沉积设备微波系统的仿真优化与验证[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1896-1903.
[6]	李若楠;边慧敏;张凯;李朋;李玉平;韩培德. 大面积垂直取向介孔二氧化硅薄膜的制备及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1236-1241.
[7]	上官旻杰;赵青南;林鸿剑;董玉红;赵杰. Low-E/VO2复合镀膜玻璃的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 716-723.
[8]	景宝堂;钟敏;袁文宾;张宇峰. 气相输运沉积制备化合物薄膜材料的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 358-362.
[9]	郭聪;张丹;刘华一;徐海峰;刘雨桐;付跃举. PVDF薄膜铁电性能的调控研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(1): 39-43.
[10]	代清平;吴冬妮;韦俊;吕兵;邓朝勇. 压电层体积分数对BTO基复合薄膜磁电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(1): 44-49.
[11]	黄奕博;王美涵;文哲;马佳玉;张钧;侯朝霞. 纳米结构WO3/TiO2复合薄膜的制备及应用进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(1): 144-151.
[12]	熊芬;姜思宇;吴隽;耿仁杰;郭才胜;祝柏林;姚亚刚;刘静. 95;Ar+5;H2气氛退火对Ag/MoS2和Ag/BN/MoS2薄膜形貌和结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2186-2193.
[13]	杨松;郭凯鑫;张敏;邓朝勇;王旭. La掺杂BiFeO3薄膜铁电及光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(8): 1445-1450.
[14]	闫刚印. 不同膜厚对SiO2光子晶体形貌及光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(7): 1281-1286.
[15]	熊智慧;肖飞;杨辉;张敏;曾体贤. CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(4): 567-571.