原生CVD ZnS 6.2 μm处吸收峰的消除及机理分析

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 440-443.

原生CVD ZnS 6.2 μm处吸收峰的消除及机理分析

付利刚;张福昌;魏乃光;赵永田;王学武;吕反修

北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088;北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
军工配套项目

Mechanism Analysis and Elimination of Absorption Peak near 6.2 μm in As-grown CVD ZnS

FU Li-gang;ZHANG Fu-chang;WEI Nai-guang;ZHAO Yong-tian;WANG Xue-wu;LV Fan-xiu

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 原生CVD ZnS的特征之一是由于内部与S空位相关的Zn-H络合物的存在而在6.2 μm处形成吸收峰.相对较低的沉积温度和较高的沉积压力以及Zn/H2S是产生这一问题的主要原因.通过改进实验参数(沉积温度、沉积压力、Zn/H2S),能够制备出与经过HIP处理过的ZnS一样的无Zn-H络合物的原生ZnS.本文依据Zn-H络合物产生的原因对沉积温度、压力等作用机理进行了分析,总结出进一步提高CVD ZnS质量的方法.

中图分类号:

付利刚;张福昌;魏乃光;赵永田;王学武;吕反修. 原生CVD ZnS 6.2 μm处吸收峰的消除及机理分析[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 440-443.

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