三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积的数值模拟

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 494-499.

三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积的数值模拟

张攀;王伟文;董海红;吴玉雷;陈光辉;李建隆

青岛科技大学机电工程学院,青岛,266061;青岛科技大学化工学院,青岛,266043

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省自然科学基金(ZR2009BM011)

Numerical Simulation of the Chemical Vapor Deposition of Polycrystalline Silicon in a Trichlorosilane and Hydrogen System

ZHANG Pan;WANG Wei-wen;DONG Hai-hong;WU Yu-lei;CHEN Guang-hui;LI Jian-long

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文建立了三氯氢硅和氢气系统中混合气体动量、热量和质量同时传递,并且耦合气相反应、表面反应的多晶硅气相沉积模型,利用流体力学计算软件(Computational Fluid Mechanics, CFD)Fluent6.2数值分析了气体进口速率、反应压力、表面温度和气体组成对硅化学气相沉积特性的影响,数值结果表明计算结果与相关实验数据吻合较好.分析表明在一定的条件下,硅沉积速率随温度、压力的升高而增加,在氢气浓度较高的情况下,硅沉积速率随氢气浓度增加而线性地降低.

中图分类号:

TQ021

张攀;王伟文;董海红;吴玉雷;陈光辉;李建隆. 三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积的数值模拟[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 494-499.

ZHANG Pan;WANG Wei-wen;DONG Hai-hong;WU Yu-lei;CHEN Guang-hui;LI Jian-long. Numerical Simulation of the Chemical Vapor Deposition of Polycrystalline Silicon in a Trichlorosilane and Hydrogen System[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(2): 494-499.