SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (2): 516-519.

SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究

文黎巍;周俊敏;苗挂帅;贾瑜;杨仕娥

周口师范学院物理与电子工程系,周口,466000;郑州大学物理工程学院,郑州,450052

出版日期:2010-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
周口师范学院大学生科研创新基金(zknudxs023)

First-principles Study on the Adsorption of SiH4 on Si(001)-(2×1) Surface

WEN Li-wei;ZHOU Jun-min;MIAO Gua-shuai;JIA Yu;YANG Shi-e

Online:2010-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用第一性原理密度泛函理论研究SiH4在Si(001)-(2×1)表面的分裂吸附及吸附后的结构、能量和成键特性,计算了反应物、过渡态及生成物三个状态的能量,吸附能和反应能.计算结果表明:SiH4在Si(001)-(2×1)重构表面吸附的可能反应路径是由于SiH4中Si-H键的拉长和二聚体键的断裂导致的,形成产物Si(001)-(2×1)(SiH3:H);由SiH4分裂的能量势垒0.78 eV说明所推测的反应路径是合理的.

中图分类号:

O411

文黎巍;周俊敏;苗挂帅;贾瑜;杨仕娥. SiH4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 516-519.

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