摘要: 利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布.显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<11(2-)0>方向容易出现裂缝.裂缝两侧有不同的生长形貌.拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志.纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<11(2-)0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<11(2-)0>方向,轴向生长方向平行于<000(1-)>方向.
中图分类号:
彭燕;宁丽娜;高玉强;徐化勇;宋生;蒋锴;胡小波;徐现刚. 4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(3): 559-563.
PENG Yan;NING Li-na;GAO Yu-qiang;XU Hua-yong;SONG Sheng;JIANG Kai;HU Xiao-bo;XU Xian-gang. Study on Surface Morphology and Polytype Transition of 4H-SiC Single Crystals[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(3): 559-563.