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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (3): 573-577.

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一步电沉积法制备铜铟硫薄膜的研究

刘红娟;汪雷;杨德仁;杨华;王子奇   

  1. 浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027
  • 出版日期:2010-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    长江学者和创新团队发展计划(0651);国家重点基础研究发展计划(973)项目(2007CB6130403)

Research on CuInS2 Thin Films Prepared by One-step Electrodeposition

LIU Hong-juan;WANG Lei;YANG De-ren;YANG Hua;WANG Zi-qi   

  • Online:2010-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2(CIS)薄膜.采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可见分光光度计对制备的薄膜进行了表征,并研究了Cu/In比对薄膜结晶性和光学性能的影响.研究表明:通过优化电解液成分、pH值和电沉积条件,可得到均匀致密、与衬底结合力强的CIS薄膜;Cu/In比的增大有助于提高退火后薄膜的结晶性能,增大晶粒尺寸;所制备的薄膜均为单一黄铜矿相,具有较好的光吸收性能,其禁带宽度约为1.47 eV.

关键词: CIS薄膜;一步电沉积;Cu/In比;退火

中图分类号: