退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (3): 588-592.

退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响

张雯;王继扬;季振国;李红霞;娄垚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018;浙江工业大学机械制造及自动化教育部重点实验室,杭州,310014

出版日期:2010-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
浙江工业大学重中之重学科开放研究基金(AMT200506-005)

Effects of Annealing Temperature on the Structure and Surface Morphologyof La3Ga5SiO14 Thin Films

ZHANG Wen;WANG Ji-yang;JI Zhen-guo;LI Hong-xia;LOU Yao

Online:2010-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了La3Ga5SiO14薄膜,并研究了不同的退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响.衬底温度为室温时生长的薄膜经过800 ℃以上的高温退火后,由最初的无定形态转变为无规则取向的多晶结构.衬底温度为400 ℃时生长的薄膜经过800 ℃退火处理后呈现无序的多晶形态.当退火温度进一步升高至1000 ℃时,XRD图谱显示薄膜由最初的(220)和(300)两个结晶方向转变为以(200)和(400)为主要取向的多晶结构.表面形貌分析表明:衬底温度为400 ℃时,随着退火温度的升高,薄膜颗粒尺寸逐渐增大,表面无裂纹,而衬底温度为室温时生长的薄膜退火后则出现大量的裂缝、孔洞等缺陷.

中图分类号:

O484

张雯;王继扬;季振国;李红霞;娄垚. 退火温度对La3Ga5SiO14薄膜结构及表面形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(3): 588-592.

ZHANG Wen;WANG Ji-yang;JI Zhen-guo;LI Hong-xia;LOU Yao. Effects of Annealing Temperature on the Structure and Surface Morphologyof La3Ga5SiO14 Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2010, 39(3): 588-592.

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