La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 1014-1018.

La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响

冯湘;王华

郑州铁路职业技术学院机电系,郑州,450052;桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林,541004

出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部科学技术研究重点项目(208109);广西自然科学基金资助项目(桂科自0832247)

Effect of La and Nb Doping on Dielectric Properties and C-V Characteristics of Bi4Ti3O12 Thin Films

FENG Xiang;WANG Hua

Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响.研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加, Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电常数和C-V特性曲线回滞窗口增大,介电损耗和漏电流密度减小.x>0.5时,Bi4-xLaxTi3O12薄膜可获得大于1.8 V的C-V回滞窗口,且经1010极化开关后其回滞窗口的减小未超过6;;而Nb掺杂对增大Bi4Ti3-yNbyO12薄膜C-V回滞窗口的作用更加明显,但经1010极化开关后,其回滞窗口的减小较为明显,并出现一定平移.

中图分类号:

O484

冯湘;王华. La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 1014-1018.

FENG Xiang;WANG Hua. Effect of La and Nb Doping on Dielectric Properties and C-V Characteristics of Bi4Ti3O12 Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 1014-1018.

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