立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 1072-1077.

立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析

李志明;郝跃;张进成;陈炽;薛军帅;常永明;许晟瑞;毕志伟

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金重点项目(60736033);国防预研基金(51308030102)

Thermal Analysis of Susceptor Structure with Ring Groove in Vertical MOCVD Reactor

LI Zhi-ming;HAO Yue;ZHANG Jin-cheng;CHEN Chi;XUE Jun-shuai;CHANG Yong-ming;XU Sheng-rui;BI Zhi-wei

Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中, 提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小.与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高.另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量.

中图分类号:

TB43

李志明;郝跃;张进成;陈炽;薛军帅;常永明;许晟瑞;毕志伟. 立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 1072-1077.

LI Zhi-ming;HAO Yue;ZHANG Jin-cheng;CHEN Chi;XUE Jun-shuai;CHANG Yong-ming;XU Sheng-rui;BI Zhi-wei. Thermal Analysis of Susceptor Structure with Ring Groove in Vertical MOCVD Reactor[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 1072-1077.

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