欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 2025年7月6日 星期日 分享到:

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 829-833.

• • 上一篇    下一篇

坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷

陈红兵;沈琦;方奇术;肖华平;王苏静;梁哲;蒋成勇   

  1. 宁波大学材料科学与工程研究所,宁波市新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地,宁波,315211
  • 出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    浙江省自然科学基金(Y4090057);宁波市自然科学基金(2009610016);宁波大学科研基金(xkl09074);宁波市新型光电功能材料及器件创新团队(2009B21007);宁波大学王宽诚幸福基金

Crystal Defects of CdWO4 Scintillation Crystals Grown by Bridgman Method

CHEN Hong-bing;SHEN Qi;FANG Qi-shu;XIAO Hua-ping;WANG Su-jing;LIANG Zhe;JIANG Cheng-yong   

  • Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象.

关键词: 钨酸镉;晶体生长;坩埚下降法;晶体缺陷

中图分类号: