一种生长Ga3PO7晶体的新助熔剂体系

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 842-845.

一种生长Ga3PO7晶体的新助熔剂体系

郭永解;李静;王继扬;尹鑫;韩树娟;王永政

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50872066);国家重点研究发展计划(2010CB833103)

A New Flux System for the Growth of Ga3PO7 Crystal

GUO Yong-jie;LI Jing;WANG Ji-yang;YIN Xin;HAN Shu-juan;WANG Yong-zheng

Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在MoO3-K2CO3体系中,借助于自发成核法,与MoO3-Li2CO3体系进行对照,找到一个新的适合Ga3PO7晶体生长的助熔剂体系;在新助熔剂体系下,采用顶部籽晶法生长出厘米级Ga3PO7晶体,晶体尺寸为30 mm×21 mm×9 mm;对其基本性质进行表征,在测试范围内所生长的Ga3PO7晶体透过率均在80;以上,具有高的透过率和宽的透过范围.

中图分类号:

O782

郭永解;李静;王继扬;尹鑫;韩树娟;王永政. 一种生长Ga3PO7晶体的新助熔剂体系[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 842-845.

GUO Yong-jie;LI Jing;WANG Ji-yang;YIN Xin;HAN Shu-juan;WANG Yong-zheng. A New Flux System for the Growth of Ga3PO7 Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 842-845.

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