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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 895-899.

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裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响

肖宗湖;张萌;熊传兵;江风益;王光绪;熊贻婧;汪延明   

  1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌,330096
  • 出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    教育部长江学者与创新团队发展计划资助(IRT0730)

Influence of Crack on Stress State of GaN Based LED on Si Substrates

XIAO Zong-hu;ZHANG Meng;XIONG Chuan-bing;JIANG Feng-yi;WANG Guang-xu;XIONG Yi-jing;WANG Yan-ming   

  • Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响.XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放.随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大.PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移.

关键词: Si衬底;InGaN/GaN;LED;裂纹;应力

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