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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 912-916.

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氧化锡纳米晶的合成与生长

徐加荣;朱克荣;戚梦瑶;庄永龙   

  1. 安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039;安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039;安徽大学现代实验技术中心,合肥,230039;安徽大学现代实验技术中心,合肥,230039
  • 出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金资助项目(50872001);安徽大学人才队伍建设经费资助项目

Synthesis and Growth of SnO2 Nanocrystal

XU Jia-rong;ZHU Ke-rong;QI Meng-yao;ZHUANG Yong-long   

  • Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用水热法制备了氧化锡纳米晶,通过X射线衍射仪(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)对氧化锡纳米晶样品的晶体结构、晶粒形貌进行了表征,并研究了氧化锡纳米晶生长和位错的产生机制.结果表明:在退火温度低于500 ℃时,晶粒生长依靠着周围的非晶成分而长大,纳米晶内部无晶格缺陷;退火温度高于500 ℃时,晶粒通过相互粘结的方式而长大.晶粒之间的不完全取向粘结导致了缺陷与位错的产生.

关键词: 氧化锡纳米晶;位错;水热法

中图分类号: