温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 961-965.

温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响

夏中高;王茺;鲁植全;李亮;杨宇

云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091

出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10964016;10990101);云南省自然基金重点项目(2008CC012);教育部科学技术研究重点项目

Effect of Growth Temperature on Growth Mode and Size of Ge Nanodots Prepared on SiO2 Surface by Magnetron Sputtering

XIA Zhong-gao;WANG Chong;LU Zhi-quan;LI Liang;YANG Yu

Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品.原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同.当衬底生长温度达到500 ℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口".在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010 cm-2的Ge纳米点.

中图分类号:

O484.1

夏中高;王茺;鲁植全;李亮;杨宇. 温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 961-965.

XIA Zhong-gao;WANG Chong;LU Zhi-quan;LI Liang;YANG Yu. Effect of Growth Temperature on Growth Mode and Size of Ge Nanodots Prepared on SiO2 Surface by Magnetron Sputtering[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 961-965.

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