溅射功率对直流磁控溅射法沉积TGZO薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (4): 972-976.

溅射功率对直流磁控溅射法沉积TGZO薄膜性能的影响

史晓菲;郭美霞;刘汉法;王新峰

山东理工大学理学院,淄博,255049

出版日期:2010-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省自然科学基金(ZR2009GL015)

Effect of Sputtering Power on Properties of Ti-Ga Co-doped Zinc Oxide Films Deposited by DC Magnetron Sputtering Method

SHI Xiao-fei;GUO Mei-xia;LIU Han-fa;WANG Xin-feng

Online:2010-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜.研究了溅射功率对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明:溅射功率对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响.X射线衍射分析表明,TGZO 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.在溅射功率为120 W时,实验获得的TGZO薄膜的方块电阻为2.71 Ω/□,此时电阻率具有最小值2.18×10-4 Ω·cm.实验制备的TGZO 薄膜在可见光区范围内平均透过率达到了90;以上.

中图分类号:

TN304

史晓菲;郭美霞;刘汉法;王新峰. 溅射功率对直流磁控溅射法沉积TGZO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 972-976.

SHI Xiao-fei;GUO Mei-xia;LIU Han-fa;WANG Xin-feng. Effect of Sputtering Power on Properties of Ti-Ga Co-doped Zinc Oxide Films Deposited by DC Magnetron Sputtering Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 972-976.

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