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人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (5): 1221-1226.

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氧气流量对射频磁控溅射制备Cu2O薄膜性能的影响

林龙;李斌斌;鲁林峰;江丰;沈鸿烈   

  1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016
  • 出版日期:2010-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2006AA03Z219);南京航空航天大学基本科研业务费专项科研项目(NS2010160)

Effect of Oxygen Flow Rate on the Properties of Cuprous Oxide Thin Films Sputtered by RF Magnetron

LIN Long;LI Bin-bin;LU Lin-feng;JIANG Feng;SHEN Hong-lie   

  • Online:2010-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 通过磁控溅射方法在玻璃衬底上制备Cu2O薄膜,采用X射线衍射(XRD)、分光光度计、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)等研究了氧气流量对Cu2O薄膜性能的影响.结果表明:氧气流量为4.2 sccm时,薄膜为单相的Cu2O,具有较高的结晶质量和可见光透过率,光学带隙为2.29 eV,薄膜的导电类型是p型且空穴浓度为2×1016 cm-3.通过XPS能谱分析Cu 2p3/2和O 1s结合能,确定了薄膜中Cu以+1价存在.

关键词: 氧化亚铜;磁控溅射;电阻率;光透射率;氧气流量

中图分类号: