湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (6): 1443-1445.

湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

邵慧慧;李树强;曲爽;李毓锋;王成新;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东华光光电子有限公司,济南,250101;山东华光光电子有限公司,济南,250101

出版日期:2010-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50721002;50802053);国家高技术研究发展计划(863)项目(2007AA03Z405);教育部科技创新工程重大项目(707039)

Study on Patterned Sapphire Substrate by Wet Etching

SHAO Hui-hui;LI Shu-qiang;QU Shuang;LI Yu-feng;WANG Cheng-xin;XU Xian-gang

Online:2010-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS).在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响.扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加.腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关.腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加.管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加.

中图分类号:

O611

邵慧慧;李树强;曲爽;李毓锋;王成新;徐现刚. 湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1443-1445.

SHAO Hui-hui;LI Shu-qiang;QU Shuang;LI Yu-feng;WANG Cheng-xin;XU Xian-gang. Study on Patterned Sapphire Substrate by Wet Etching[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(6): 1443-1445.

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