YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究

人工晶体学报 ›› 2010, Vol. 39 ›› Issue (6): 1539-1543.

YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究

谢清连;游峰;蒙庆华;季鲁;周铁戈;赵新杰;方兰;阎少林

南开大学信息技术科学学院,天津,300071;广西师范学院物理与电子工程学院,南宁530001;南开大学信息技术科学学院,天津,300071;广西师范学院物理与电子工程学院,南宁,530001

出版日期:2010-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2006CB601006);国家高技术研究发展计划(863)项目(2006AA03Z213);国家自然科学基金(51062001);广西教育厅项目(200911MS148)

Preparation and Characterization of Tl-2212 Superconducting Films on YSZ Substrates

XIE Qing-lian;YOU Feng;MENG Qing-hua;JI Lu;ZHOU Tie-ge;ZHAO Xin-jie;FANG Lan;YAN Shao-lin

Online:2010-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响.XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向.最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和 4.24 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求.

中图分类号:

O484.1

谢清连;游峰;蒙庆华;季鲁;周铁戈;赵新杰;方兰;阎少林. YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(6): 1539-1543.

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