退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (2): 370-373.

退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响

焦栋茂;王新征;李洪涛;郭烈萍;蒋百灵

西安理工大学材料科学与工程学院,西安,710048

出版日期:2011-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省教育厅科学技术研究计划(09JK623)

Effect of Annealing Time on Crystallization Process of Aluminum Induced Amorphous Silicon Films

JIAO Dong-mao;WANG Xin-zheng;LI Hong-tao;GUO Lie-ping;JIANG Bai-ling

Online:2011-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于铝诱导非晶硅薄膜固相晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al/ Si…Al/ Si/ glass周期性结构的薄膜.采用真空退火炉对Al/ Si多层薄膜进行了500℃退火实验,通过透射电子显微镜(TEM)分析了不同退火时间下Al/ Si多层薄膜截面形貌的变化规律,并结合扩散过程探讨了退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响机理.研究结果表明:在铝诱导非晶硅薄膜固相晶化过程中,在退火过程的初期,晶态硅薄膜的生长主要来源于因Al的存在而形成的硅初始品核数量增加的贡献.随退火时间的延长,晶态硅薄膜的生长主要是依靠临界浓度线已推进区域中未参与形核的硅原子扩散至初始品核位置并进行外延生长来实现的.经500℃退火1 h后,Al/ Si薄膜的截面形貌巾出现了沿Si(111)晶面生长的栾品组织.

中图分类号:

O484

焦栋茂;王新征;李洪涛;郭烈萍;蒋百灵. 退火时间对铝诱导非晶硅薄膜晶化过程的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(2): 370-373.

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