超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (2): 496-499.

超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究

肖强

西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安,710048;西安工业大学机电工程学院,西安,710032

出版日期:2011-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省工业攻关项目(2010K09-01)

Research on the Material Removal Rates and Surface Features of SiC Single Crystal by Ultrasonic Polishing

XIAO Qiang

Online:2011-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺.实验表明,超声波辅助研磨SiC单晶片材料去除率是普通研磨的两倍,表面粗糙度值也有显著降低.本文同时分析了材料去除率提高与表而粗糙度值降低的原因.

中图分类号:

TG580

肖强. 超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(2): 496-499.

XIAO Qiang. Research on the Material Removal Rates and Surface Features of SiC Single Crystal by Ultrasonic Polishing[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(2): 496-499.

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超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究

Research on the Material Removal Rates and Surface Features of SiC Single Crystal by Ultrasonic Polishing

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