摘要： 采用提拉法生长出大尺寸(111)铜单晶,晶体尺寸为ф(12～19)mm×85 mm.通过XRD、金相显微分析讨论了铜单晶的晶体结构与生长缺陷,并采用双臂电桥测定(111)铜单晶的电阻率.结果表明:晶体具有(111)取向、强度高,表明晶体取向良好;蚀坑呈典型三角锥形,位错密度在105～106 cm-2之间;在室温下,(111)铜单晶电阻率为1.289×10-8Ω·m.
中图分类号:
娄有信;王继扬;张怀金;李强. 提拉法制备铜单晶研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(3): 563-566.
LOU You-xin;WANG Ji-yang;ZHANG Huai-jin;LI Qiang. Growth of Bulk Copper Single Crystal by Czochralski Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(3): 563-566.
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