数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (3): 599-603.

数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

苗丽燕;杨仕娥;李艳阳;陈永生;谷锦华;卢景霄

郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,郑州450052

出版日期:2011-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划项目(2006CB202601);河南省自然科学基金(072300410080)

Numerical Simulation of the Effects of p/I Interface on the Performance of Microcrystalline Silicon Thin Film Solar Cells

MIAO Li-yan;YANG Shi-e;LI Yan-yang;CHEN Yong-sheng;GU Jin-hua;LU Jing-xiao

Online:2011-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释.

中图分类号:

O469

苗丽燕;杨仕娥;李艳阳;陈永生;谷锦华;卢景霄. 数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(3): 599-603.

MIAO Li-yan;YANG Shi-e;LI Yan-yang;CHEN Yong-sheng;GU Jin-hua;LU Jing-xiao. Numerical Simulation of the Effects of p/I Interface on the Performance of Microcrystalline Silicon Thin Film Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(3): 599-603.

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