Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 1027-1032.

Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质

梁伟华;王秀丽;褚立志;丁学成;邓泽超;王英龙

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Electronic Structures and Optical Properties of Cu-doped Silicon Quantum Dots

LIANG Wei-hua;WANG Xiu-li;CHU Li-zhi;DING Xue-cheng;DENG Ze-chao;WANG Ying-long

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对Cu掺杂H钝化硅量子点的形成能、态密度、磁性和光学性质进行了计算,考虑了Cu占据硅量子点替代和间隙的不同位置.结果表明:Cu趋向占据硅量子点表面的六角形间隙位置.Cu掺杂硅量子点引入了杂质能级,带隙变窄.由于Cu的d态p态和Si的p态耦合,导致Cu替代掺杂硅量子点具有铁磁性,且在低能区出现了一个较强的吸收峰.

中图分类号:

O469

梁伟华;王秀丽;褚立志;丁学成;邓泽超;王英龙. Cu掺杂硅量子点的电子结构和光学性质[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 1027-1032.

LIANG Wei-hua;WANG Xiu-li;CHU Li-zhi;DING Xue-cheng;DENG Ze-chao;WANG Ying-long. Electronic Structures and Optical Properties of Cu-doped Silicon Quantum Dots[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(4): 1027-1032.

[1]	王云杰, 和志豪, 丁家福, 苏欣. X₂(PO₄)₂(X=Ba、Pb)和XPO₄(X=Y、Bi)中阳离子对结构框架影响及双折射率来源研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 85-94.
[2]	丁家福, 和志豪, 王云杰, 苏欣. 通过硫代调控Ga、In、Tl磷酸盐光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2025, 54(1): 95-106.
[3]	张盼, 庞国旺, 尹伟, 马亚斌, 张钧洲, 杨慧慧, 秦彦军. 高压下4H-SiC结构、电子和光学性质的理论研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2104-2112.
[4]	张好强, 曹幸飞, 吴昱鑫, 张舵, 侯锁霞. La掺杂WC(0001)/Co(111)界面结合强度、稳定性和电子结构的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2113-2123.
[5]	卫来, 庞国旺, 张文, 张丽丽, 黄以能. 外电场对ZnSe/石墨烯异质结肖特基调控的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(12): 2124-2130.
[6]	杨燕, 王献朗, 陈昊天, 卢浩, 佘世雄, 黄智昊. 二维金属有机框架电子性质的电场调控:第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1752-1758.
[7]	储冬冬, 杨志华, 潘世烈. 数据驱动的新型非线性光学材料理论设计研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1475-1493.
[8]	吴蕊, 胡洋, 唐荣芬, 阳倩, 王序, 吴怡逸, 聂登攀, 王环江. MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1608-1619.
[9]	莫秋燕, 欧满琳, 张颂, 荆涛, 吴家隐. VI族元素修饰对二维AlN电子性质影响的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1620-1628.
[10]	孙亮, 张钰, 王群. 休斯勒合金Mn₂LiGe块体和(001)表面的电子结构和磁性质[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1378-1385.
[11]	刘晓莹, 黄海深, 孙丽, 潘孟美, 尚真真. 二维MXene材料CrVCF₂的电子性质和磁性的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1386-1393.
[12]	陈继虎, 路亚妮. 粉体还原对硒化亚铜热电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1464-1470.
[13]	冷昊宁, 孙霄霄, 刘凤举, 赵祥敏. 高压下LiVO₃相变行为的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1222-1230.
[14]	李丽华, 周龙杰, 刘硕, 王航, 黄金亮. SnO₂(110)/FAPbBrI₂(001)界面电子结构与光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1239-1248.
[15]	和志豪, 苟杰, 王云杰, 齐亚杰, 丁家福, 张博, 赵星胜, 裴翊祯, 侯姝宇, 苏欣. Zn掺杂氮化硼的电子结构与光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(7): 1249-1256.