硅中90度部分位错双周期结构的运动特性

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 1043-1047.

硅中90度部分位错双周期结构的运动特性

王超营;王振清;孟庆元

哈尔滨工程大学工程力学系,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Dynamic Properties of the Double Period 90° Partial Dislocation in Si Crystal

WANG Chao-ying;WANG Zhen-qing;MENG Qing-yuan

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用基于紧束缚势(TB)的分子模拟方法研究了硅中90度部分位错双周期(DP)结构的运动特性.详尽描述了该结构的左弯结和右弯结在一个周期内的运动过程.利用共轭梯度(conjugate gradients:CG)法计算得到了DP结构中左、右弯结的形成能.另外,在弯结运动过程的基础上,利用NEB(nudged elastic band)方法计算出了左、右弯结在一个运动周期内的迁移势垒,并且发现Si中90度部分位错的运动主要受弯结迁移势垒的控制.最后,根据位错运动的活化能理论分别得到了决定90度部分位错运动的长位错段和短位错段的活化能.

中图分类号:

O77+2

王超营;王振清;孟庆元. 硅中90度部分位错双周期结构的运动特性[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 1043-1047.

WANG Chao-ying;WANG Zhen-qing;MENG Qing-yuan. Dynamic Properties of the Double Period 90° Partial Dislocation in Si Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(4): 1043-1047.