非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 1048-1052.

非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展

卓世异;刘学超;熊泽;陈之战;杨建华;施尔畏

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800;中国科学院研究生院,北京100049;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Recent Progress on Non-magnetic Elements Doped ZnO Diluted Magnetic Semiconductors

ZHUO Shi-yi;LIU Xue-chao;XIONG Ze;CHEN Zhi-zhan;YANG Jian-hua;SHI Er-wei

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点.传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系.而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性.本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展.

中图分类号:

TN304

卓世异;刘学超;熊泽;陈之战;杨建华;施尔畏. 非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 1048-1052.

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