退火条件对KDP晶体光学质量的影响研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 832-837.

退火条件对KDP晶体光学质量的影响研究

孙云;牟晓明;王圣来;顾庆天;许心光;丁建旭;刘光霞;刘文洁;朱胜军

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;中国兵器工业集团第52研究所烟台分所,烟台264003;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Annealing Condition on the Optical Quality of KDP Crystal

SUN Yun;MU Xiao-ming;WANG Sheng-lai;GU Qing-tian;XU Xin-guang;DING Jian-xu;LIU Guang-xia;LIU Wen-jie;ZHU Sheng-jun

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文在不同退火温度和时间下对KDP晶体进行退火实验,并对其光学质量进行了测试和分析.实验表明:合适的退火条件可以增加晶体的透过率、提高光学均匀性、减少散射颗粒,其中160℃为KDP晶体最佳退火温度.在相同的退火温度下,延长退火时间能够更好地提高晶体的光学均匀性和结构完整性.在160℃下退火48h能够使晶体的光损伤阈值提高28;,退火240h能够提高40;以上.

中图分类号:

O782

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