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人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 853-857.

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HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响

张雷;邵永亮;吴拥中;张浩东;郝霄鹏;蒋民华   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Simulation of Gas Distribution in HVPE Reactor and Influence of GaCl Carrier Gas Flow Rate on the GaN Crystal Growth

ZHANG Lei;SHAO Yong-liang;WU Yong-zhong;ZHANG Hao-dong;HAO Xiao-peng;JIANG Min-hua   

  • Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素.采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果.

关键词: 模拟;GaN;氢化物气相外延;气流分布

中图分类号: