Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 898-902.

Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响

黄文娟;方庆清;王伟娜;吴克跃;张瀚铭;张启平

安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Structure and Magnetic Properties of Mg Doped ZnO Thin Films

HUANG Wen-juan;FANG Qing-qing;WANG Wei-na;WU Ke-yue;ZHANG Han-ming;ZHANG Qi-ping

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO薄膜,研究了退火温度和氧压对Zn1-xMgxO薄膜的结构和磁性的影响.结果表明,Mg掺入量影响ZnO结构相变,当x≥0.25时,Zn1-xMgxO薄膜由六角纤锌矿结构变为立方结构,同时磁性增强.随着氧压的增大和后续退火温度的升高,都会使饱和磁化强度(Ms)呈先增大后减小的趋势.分析表明磁性的变化都与样品中的表面缺陷浓度有关.

中图分类号:

O737

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