沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 938-941.

沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响

席彩萍;王六定;王小冬;李昭宁

西北工业大学应用物理系,西安710072;渭南师范学院,渭南714000;西北工业大学应用物理系,西安,710072

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Depositing Temperature on the Morphology of Carbon Nanotubes Synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

XI Cai-ping;WANG Liu-ding;WANG Xiao-dong;LI Zhao-ning

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制.结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃.

中图分类号:

TQ127

席彩萍;王六定;王小冬;李昭宁. 沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 938-941.

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