衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1115-1119.

衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响

隋妍萍;阮建明;李涛;蔡宏琨;何炜瑜;张德贤

南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津,300071

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中央高校基本科研业务费专项资金资助

Effect of Substrate Temperatures on the Properties of GaSb Polycrystalline Films by Co-evaporation

SUI Yan-ping;RUAN Jian-ming;LI Tao;CAI Hong-kun;HE Wei-yu;ZHANG De-xian

Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用共蒸发的方法在玻璃衬底上制备出GaSb多晶薄膜材料.研究了薄膜生长速率与衬底温度、Ga源温度和Sb源温度的关系.通过XRD、UV-Vis、Hall效应和AFM等测试方法,研究了衬底温度对于GaSb薄膜的结构特性、光电性质以及表面形貌的影响.GaSb多晶薄膜具有(111)择优取向,薄膜的吸收系数达到105 cm-1,晶粒尺寸随衬底温度升高逐渐增大；衬底温度为540℃时,薄膜的迁移率达到127 cm2/V·s,空穴浓度为3×1017 cm-3.GaSb薄膜的表面粗糙度随温度增加而增加.

中图分类号:

TN304.05

隋妍萍;阮建明;李涛;蔡宏琨;何炜瑜;张德贤. 衬底温度对共蒸发制备GaSb多晶薄膜性质的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1115-1119.

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