欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 分享到:

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1199-1202.

• • 上一篇    下一篇

XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性

张子才;于威;张坤;滕晓云;傅广生   

  1. 河北大学工商学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
  • 出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    河北省自然科学基金(E2006001006);2009年河北省博士后基金

Conduction Characteristics of N-Al Codoping p-ZnO Films by XPS

ZHANG Zi-cai1;YU Wei2;ZHANG Kun;TENG Xiao-yun;FU Guang-sheng   

  • Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2 O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品.Hall测量表明室温下ZnAlO∶N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型.p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 cm2/V·s.用X射线光电子能谱仪(XPS)对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化学态分析.XPS结果表明,ZnAlO∶N薄膜中存在两种与N元素有关的缺陷,N原子替代O位形成的(N)o和N分子替代O位形成的(N2)o.退火后ZnAlO∶N薄膜中(N2)o缺陷减少,(N)o缺陷浓度占优导致了薄膜传导类型转变.

关键词: ZnO薄膜;XPS;(N)o缺陷

中图分类号: