连续离子层吸附反应(SILAR)法制备AgGaS2纳米薄膜及性能表征

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (5): 1333-1337.

连续离子层吸附反应(SILAR)法制备AgGaS2纳米薄膜及性能表征

黄毅;张建军;尔古打机

西南民族大学电气信息工程学院,成都,610041;南昌航空大学材料科学与工程学院,南昌,330063

出版日期:2011-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
西南民族大学人才引进项目(234818);中央高校基本科研业务费专项资金项目(09NZYJ08);留学回国人员创新基金(26707101);江西省教育厅项目(GJJ09195)

Preparation and Properties of AgGaS2 Nanofilms by Successive Ionic Layer Adsorption Reaction Method

HUANG Yi;ZHANG Jian-jun;ERGU Da-ji

Online:2011-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,通过500℃退火在玻璃衬底上制备出AgGaS2纳米薄膜.使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、紫外可见(UV-Vis)谱和光致发光(PL)谱等对纳米薄膜的物相、形貌、化学配比和光学性能进行了定性和定量表征.XRD测试结果表明,实验获得产物为黄铜矿结构AgGaS2,并观测到(112)面和(224)面.使用Scherrer公式估算了AgGaS2产物的晶粒平均粒度大小约为30 nm.SEM观测到的AgGaS2纳米薄膜外形均匀一致,沉积紧密,薄膜沉积的纳米平均颗粒直径约为18～ 26 nm.EDS测试结果显示AgGaS2纳米薄膜中Ag、Ga和S三元素的原子相对百分含量为25.12;,26.66;和49.93;,其化学计量比几近于1∶1∶2物质的量比.通过紫外可见透过光谱得到截止波长为470.1 nm,禁带宽度为2.64 eV.室温PL测试发现发光中心在456 nm,与AgGaS2晶体发光中心相比产生了约40nm的蓝移.以上结果充分表明SILAR法是一种制备AgGaS2纳米薄膜的有效方式.

中图分类号:

O471.4

黄毅;张建军;尔古打机. 连续离子层吸附反应(SILAR)法制备AgGaS2纳米薄膜及性能表征[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1333-1337.

HUANG Yi;ZHANG Jian-jun;ERGU Da-ji. Preparation and Properties of AgGaS2 Nanofilms by Successive Ionic Layer Adsorption Reaction Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(5): 1333-1337.

[1]	黄毅;张建军;尔古打机. 有机熔盐(OMS)法制备AgInS2纳米针[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1587-1590.
[2]	黄毅;张建军;尔古打机. 微波熔盐沉积制备AlN纳米晶及光致发光特性研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(5): 1258-1260.