4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 106-109.

4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长

刘忠良;康朝阳;唐军;徐彭寿

淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北 235000;;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
安徽省高等学校省级自然科学研究(KJ2010B189);安徽省自然?蒲Щ?11040606M64);国家自然科学基金(50872128)

Homoepitaxial Growth of SiC Thin Film on 4H-SiC Substrate

LIU Zhong-liang;KANG Chao-yang;TANG Jun;XU Peng-shou

Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的.

中图分类号:

O484
TN304

刘忠良;康朝阳;唐军;徐彭寿. 4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(1): 106-109.

LIU Zhong-liang;KANG Chao-yang;TANG Jun;XU Peng-shou. Homoepitaxial Growth of SiC Thin Film on 4H-SiC Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(1): 106-109.

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4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长

Homoepitaxial Growth of SiC Thin Film on 4H-SiC Substrate

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