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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 110-114.

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InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串的合成及其电学性质

陈婷婷;王广宁;黄东亮;郎颖;张锷   

  1. 哈尔滨师范大学物理与电子工程学院;低维体系与介观物理黑龙江省高校重点实验室,哈尔滨 150025
  • 出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20

Synthesis and Transport Properties of InAlO3 ( ZnO ) 15 Superlattice Nanobunches

CHEN Ting-ting;WANG Guang-ning;HUANG Dong-liang;LANG Ying;ZHANG E   

  • Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3 (ZnO)15超晶格纳米串.扫描电镜观察到InAlO3 (ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80 ~ 150 nm,长度约为7~20 μm.X射线衍射结果表明样品具有InAlO3 (ZnO)15超晶格纳米结构.高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制.在0.6~3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质.

关键词: InAlO3 (ZnO)15;化学气相沉积法;电学性质

中图分类号: