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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 188-192.

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外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究

邓泽超;王世俊;丁学成;褚立志;梁伟华;赵亚军;陈金忠;傅广生;王英龙   

  1. 河北大学物理科学与技术学院;河北省光电信息材料重点实验室,保定 071002
  • 出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    973计划前期研究专项(2011 CB612305);河北省自然科学基金(E2008000631;E2011201134);河北省教育厅基金(2009308)

Dynamics of Nucleation and Growth of Si Nanocrystal Grains Prepared by Pulsed Laser Ablation with Extra Ar Gas Flow

DENG Ze-chao;WANG Shi-jun;DING Xue-cheng;CHU Li-zhi;LIANG Wei-hua;ZHAO Ya-jun;CHEN Jin-zhong;FU Guang-sheng;WANG Ying-long   

  • Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50~200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜.扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小;在距靶1 ~2cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反.通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长.

关键词: 脉冲激光烧蚀;硅纳米晶粒;外加气流;成核生长动力学

中图分类号: