PbLa( ZrSnTi)O3弛豫反铁电单晶的畴结构与成畴机制

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 559-563.

PbLa( ZrSnTi)O3弛豫反铁电单晶的畴结构与成畴机制

杨子;李强;李媛媛;张绍锋

清华大学化学系,北京,100084;烁光特晶科技有限公司,北京,100018

出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50272030;50572048;51172118)

Domain Structure and Mechanism of PbLa( ZrSnTi) O3 Relaxor Antiferroelectric Single Crystal

YANG Zi;LI Qiang;LI Yuan-yuan;ZHANG Shao-feng

Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 使用助熔剂法生长了PbLa(ZrSnTi)O3弛豫反铁电单晶,使用偏光显微镜对单晶中的畴进行了观察.结果表明,在(001)面上,PbLa(ZrSnTi)O3单晶中存在[110]走向和[1(1)0]走向的畴,以及[100]走向和[010]走向的亚畴.对PbLa( ZrSnTi)O3单晶的成畴机制进行了分析,引入微区应力成畴机制解释了单晶中[110]走向和[1(1)0]走向的畴结构,而对[100]走向和[010]走向的亚畴结构则要同时考虑极性微区中自发极化的影响.

中图分类号:

O766

杨子;李强;李媛媛;张绍锋. PbLa( ZrSnTi)O3弛豫反铁电单晶的畴结构与成畴机制[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 559-563.

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