电化学共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜及表征

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 626-631.

电化学共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜及表征

刘晶;章海霞;李龙;马淑芳;梁建;许并社

太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024;太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024

出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山西省回国留学人员重点资助项目(2009-03);山西省回国留学人员科研资助项目(2011-031)

Characterization of Nano GaAs Thin Film Prepared by Electrodeposition Method

LIU Jing;ZHANG Hai-xia;LI Long;MA Shu-fang;LIANG Jian;XU Bing-she

Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以含一定比例Ga与As2O3的酸性溶液(pH=2.5)作为前驱溶液,以Pt片为对电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,室温下利用三电极电化学站在Ti衬底上恒压沉积GaAs薄膜.然后对GaAs薄膜进行退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM),以及荧光光度计(PL)分别对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构,薄膜形貌以及光学性能进行分析表征.结果表明:沉积电压以及退火过程对GaAs薄膜的形貌、晶体结构、薄膜质量有很大影响,所制备的GaAs薄膜退火前晶化程度较低,部分粒子表现出不均匀团聚.光致发光峰为红光发射,且单色性好.退火后的GaAs薄膜为面心立方晶型,呈纳米颗粒状,薄膜的光电性能明显提高.

中图分类号:

O484

刘晶;章海霞;李龙;马淑芳;梁建;许并社. 电化学共沉积法制备GaAs纳米结构薄膜及表征[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 626-631.

LIU Jing;ZHANG Hai-xia;LI Long;MA Shu-fang;LIANG Jian;XU Bing-she. Characterization of Nano GaAs Thin Film Prepared by Electrodeposition Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(3): 626-631.

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