三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 680-686.

三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟

黄国强;毛俊楠;王红星;华超

天津大学化工学院,天津,300072;福州大学化学化工学院,福州,350002;中国科学院过程工程研究所,北京,100190

出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20

3-D CVD Model of Polysilicon in Trichlorosilane-hydrogen System

HUANG Guo-qiang;MAO Jun-nan;WANG Hong-xing;HUA Chao

Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 建立了氢气和三氯氢硅系统的多晶硅气相沉积反应模型,通过Chemkin4.0耦合气相反应、表面反应机理,利用流体力学软件Fluent 6.3.26数值求解.根据模拟结果绘制了进气温度、进气组成、沉积表面温度以及反应压力与硅沉积速率的关系曲线,阐述了这些条件对于硅沉积速率的影响,同时把模拟结果与文献中的实验数据和计算结果进行对比.结果表明,硅沉积速率随反应温度和反应压力的提高而提高,随进气温度的提高而提高,当氢气摩尔组成低于0.8时,与氢气物质的量组成成正比,氢气物质的量组成大于0.8时,与氢气摩尔组成成反比.

中图分类号:

TQ150.1

黄国强;毛俊楠;王红星;华超. 三氯氢硅和氢气系统的气相沉积三维模拟[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 680-686.

HUANG Guo-qiang;MAO Jun-nan;WANG Hong-xing;HUA Chao. 3-D CVD Model of Polysilicon in Trichlorosilane-hydrogen System[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(3): 680-686.