热蒸发制备CdSe薄膜及其光电特性研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 687-691.

热蒸发制备CdSe薄膜及其光电特性研究

徐平川;曾体贤;王志红

西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637009

出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
四川省教育厅重点项目(12ZA173);南充市科技支撑计划(11A0046)

Research on Photoelectrical Properties of CdSe Thin Film Prepared by Thermal Evaporated Method

XU Ping-chuan;ZENG Ti-xian;WANG Zhi-hong

Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用真空热蒸发法技术制备CdSe薄膜,通过XRD、SEM、Hall效应和分光光度计测试了薄膜的结构、表面形貌、I-V特性和光学透过率.结果表明:CdSe薄膜(100)晶面的面间距为0.369 nm,晶粒大小约为10.2 nm,薄膜表面晶粒分布较为均匀；CdSe薄膜与锡和银的肖特基势垒高度分别为0.76V和0.69V；CdSe薄膜的光透过率在远红外区较高,且呈上升趋势；折射率随波长增加按指数规律减小；根据Tauc关系和Urbach规则,获得能量带隙为1.79 eV和Urbach能量为0.217 eV.

中图分类号:

O484

徐平川;曾体贤;王志红. 热蒸发制备CdSe薄膜及其光电特性研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 687-691.

XU Ping-chuan;ZENG Ti-xian;WANG Zhi-hong. Research on Photoelectrical Properties of CdSe Thin Film Prepared by Thermal Evaporated Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(3): 687-691.

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