4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 1011-1014.

4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究

程萍;张玉明;张义门

宁波大红鹰学院,宁波,315175;西安电子科技大学,西安,710071

出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61006060);国家重大科技专项(2009ZX01001)

Research on the Intrinsic Defects of Vsi in 4H-SiC

CHENG Ping;ZHANG Yu-ming;ZHANG Yi-men

Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.

中图分类号:

程萍;张玉明;张义门. 4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 1011-1014.

CHENG Ping;ZHANG Yu-ming;ZHANG Yi-men. Research on the Intrinsic Defects of Vsi in 4H-SiC[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(4): 1011-1014.

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