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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 1059-1065.

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垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析

于海群;左然;徐楠;何晓崐   

  1. 江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013
  • 出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CXl0B_260Z)

Influence of Thermophoretic Force on Precursor Concentration and Thin Film Growth in a Vertical MOCVD Reactor

YU Hai-qun;ZUO Ran;XU Nan;HE Xiao-kun   

  • Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式.在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动量速度动量平衡,TMGa浓度达到最大.然后在不考虑化学反应和考虑化学反应两种情况下,针对垂直式MOCVD反应器内的热泳力对粒子浓度分布和沉积的影响进行数值模拟,模拟给出反应粒子在反应器不同进口温度、衬底温度时的温度分布、浓度分布和反应速率.并与文献中的实验值进行对比,模拟结果与实验值有很好的吻合.

关键词: MOCVD;GaN;热泳力;数值模拟

中图分类号: