垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 1107-1112.

垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究

徐楠;左然;何晓焜;于海群

江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)

Study on GaN Chemical Reaction Path in Vertical Rotating-disk MOCVD Reactor

XU Nan;ZUO Ran;HE Xiao-kun;YU Hai-qun

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究.结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响.通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献,判断该反应器可能采取何种反应路径.研究发现,RDR反应器的主要反应路径是TMG热解为DMG,DMG为薄膜沉积的主要前体.反应腔高度变化对反应路径影响较小,但生长速率略有增大；当从预混合进口改为环形分隔进口时,生长更倾向于TMG热解路径,同时生长速率增大,但均匀性变差.

中图分类号:

TN304

徐楠;左然;何晓焜;于海群. 垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 1107-1112.

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