宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 863-867.

宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究

马可;贺永宁;张松昌;刘卫华

西安交通大学电信学院微电子学系,西安,710049

出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876038)

Controlled Synthesis of ZnO Nanowires in a Wide Temperature Range by CVD Method

MA Ke;HE Yong-ning;ZHANG Song-chang;LIU Wei-hua

Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以Zn粉为材料,采用CVD法在宽温区内可控生长ZnO纳米线.利用SEM对产物进行了微观分析,考察了反应温度与升温时间对ZnO纳米线形貌的影响.用ZnO纳米线制成光电导型紫外光探测器,并测试了该器件的性能,考察了所得ZnO纳米线的光电特性.研究工作表明:用CVD法制备ZnO纳米线时的反应温度不限于某一个特定值,而是常压下在419.5℃以上的温区内均可进行,该宽温区ZnO纳米线CVD合成法的关键在于优化和匹配生长温度与加热时间两个参数.对紫外光探测器的性能测试结果表明,ZnO纳米线具有良好的紫外光电响应特性.

中图分类号:

TB321

马可;贺永宁;张松昌;刘卫华. 宽温区内ZnO纳米线的CVD可控生长方法研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 863-867.

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