CdZnTe晶体位错处的Raman光谱及PL谱研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 922-925.

CdZnTe晶体位错处的Raman光谱及PL谱研究

曾冬梅;周海;殷业财

北京石油化工学院材料科学与工程系,北京,102617;北京石油化工学院工程教育中心,北京,102617

出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(青年基金)(51002012)

Raman and Photoluminescence Study on Dislocations in CdZnTe Crystal

ZENG Dong-mei;ZHOU Hai;YIN Ye-cai

Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用显微Raman光谱技术,对比研究了CdZnTe晶体无位错区和位锘密集区的Raman光谱.研究发现,CdZnTe晶体无位错区的Raman光谱出现了与Te有关的A1模(119 cm-1)、类CdTe的TO1模(138 cm-1)和类ZnTe 的TO2模(179 cm-1)；CdZnTe晶体位错密集区的Raman光谱中仅出现了与Te有关的A1模和类CdTe的TO1模,CdZnTe晶体类ZnTe的TO2模消失.对CdZnTe试样位错密集区进行变温光致发光谱测试,结果表明,束缚在中性施主上的激子的离解为电子空穴对,电子空穴的非辐射复合过程吸收了类ZnTe的TO2模声子能量,造成Raman 光谱中类ZnTe的TO2模缺失.

中图分类号:

TN304.2+5

曾冬梅;周海;殷业财. CdZnTe晶体位错处的Raman光谱及PL谱研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 922-925.

ZENG Dong-mei;ZHOU Hai;YIN Ye-cai. Raman and Photoluminescence Study on Dislocations in CdZnTe Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(4): 922-925.