两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 950-955.

两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响

关中杰;靳映霞;王茺;叶小松;李亮;杨宇

云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091

出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金项目(10964016,10990103);云南省自然科学基金重点项目(2008CC012);教育部科学技术研究重点项目(210207);云南省教育厅科学研究基金(2011Y114)

Effects of Buffer Layer Thickness on the Quality of Ge Thin Film Grown by Two-step Sputtering

GUAN Zhong-jie;JIN Ying-xia;WANG Chong;YE Xiao-song;LI Liang;YANG Yu

Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响.实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大.在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层.Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm.

中图分类号:

O484

关中杰;靳映霞;王茺;叶小松;李亮;杨宇. 两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 950-955.

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