硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1168-1173.

硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化

单文光;谢正芳;吴小山;张凤鸣

南京大学物理学院光伏工程中心,南京大学微结构物理国家重点实验室,南京210093

出版日期:2012-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
南京大学固体微结构物理国家重点实验室自主创新课题基金(2010ZZ13)

Simulation Optimization of P+ Layer of Back Surface Field for Crystalline Silicon Solar Cell by Simulation

SHAN Wen-guang;XIE Zheng-fang;WU Xiao-shan;ZHANG Feng-ming

Online:2012-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响.分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征.结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5～7 μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018 ～9 ×1018 cm-3,当掺杂浓度大于5×1019 cm-3,P+层最佳深度将小于1μm.

中图分类号:

单文光;谢正芳;吴小山;张凤鸣. 硅太阳能电池铝背场P+层的模拟优化[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1168-1173.

SHAN Wen-guang;XIE Zheng-fang;WU Xiao-shan;ZHANG Feng-ming. Simulation Optimization of P+ Layer of Back Surface Field for Crystalline Silicon Solar Cell by Simulation[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(5): 1168-1173.