含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1276-1279.

含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究

闫小兵;史守山;贾长江;张二鹏;李钗;李俊颖;娄建忠;刘保亭

河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2012-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055,11074063);河北省自然科学基金(E2012201088);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);保定市科学技术研究与发展计划(11ZG030);河北大学自然科学基金(2011-219)

Investigation on Memory Characteristic of Resistive Switching in Amorphous SrTiO3-δ Films with Ti Electrode

YAN Xiao-bing;SHI Shou-shan;JIA Chang-jiang;ZHANG Er-peng;LI Chai;LI Jun-ying;LOU Jian-zhong;LIU Bao-ting

Online:2012-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ (STO)/Pt结构的阻变存储器件单元.器件的有效开关次数可达200次以上.利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1 ×105 s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性.器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上.在9mA的限制电流下,器件的低阻态为500 Ω,有利于降低电路的功耗.氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOx发挥着氧离子库的作用.阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开.

中图分类号:

O484

闫小兵;史守山;贾长江;张二鹏;李钗;李俊颖;娄建忠;刘保亭. 含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1276-1279.

YAN Xiao-bing;SHI Shou-shan;JIA Chang-jiang;ZHANG Er-peng;LI Chai;LI Jun-ying;LOU Jian-zhong;LIU Bao-ting. Investigation on Memory Characteristic of Resistive Switching in Amorphous SrTiO3-δ Films with Ti Electrode[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(5): 1276-1279.

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