升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1534-1537.

升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究

武红磊;郑瑞生;李萌萌;闫征

深圳大学光电工程学院,?獾缱悠骷胂低?教育部/广东省)重点实验室,深圳518060

出版日期:2012-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金重点项目(61136001);973前期研究专项(2010CB635115)

Growth of Nonpolar m-plane AlN Single Crystals by Sublimation

WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;LI Meng-meng;YAN Zheng

Online:2012-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能.生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径.本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析.实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3;和49.7;,接近理想比例1∶1.最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨.

中图分类号:

O782

武红磊;郑瑞生;李萌萌;闫征. 升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(6): 1534-1537.

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