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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1561-1565.

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不同电极对外延BiFeO3薄膜铁电性能的影响

马继奎;赵庆勋;彭增伟;陈明敬;史金超;刘保亭   

  1. 英利绿色能源控股有限公司,保定,071051;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
  • 出版日期:2012-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(60876055,11074063);高等学校博士点基金(20091301110002);河北省自然科学基金(E2009000207,E2008000620,08B010)

Influence of Different Electrode on the Property of Epitaxial BiFeO3 Thin Film

MA Ji-kui;ZHAO Qing-xun;PENG Zeng-wei;CHEN Ming-jing;SHI Jin-chao;LIU Bao-ting   

  • Online:2012-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用磁控溅射的方法在SrRuO3/SrTiO3 (001)衬底上外延生长BiFeO3薄膜,研究以不同金属或氧化物做顶电极时的铁电、铁磁性质和漏电流及其导电机制.X射线衍射图谱和(φ)扫描图结果显示BiFeO3薄膜沿c轴外延生长,以Pt、Al做顶电极的薄膜剩余极化强度2Pr为68μC/cm2,生长Pt/SRO、FePt顶电极的薄膜剩余极化强度较小,2Pr为44μC/cm2,矫顽场2Ec约为370±20 kV/cm.薄膜的漏电流密度较小而且趋于饱和,在U=12 V时最大为1.94×10-3 A/cm2,体传导普尔弗兰克导电为BiFeO3薄膜主要的导电机制.BFO薄膜展现出弱磁性,饱和磁化强度为9.3 emu/cm3,矫顽场为338 Oe.

关键词: BiFeO3;磁控溅射;铁电性;外延生长

中图分类号: